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IXYS
Typical Performance Characteristics
50
IXS839 / IXS839A / IXS839B
50
40
30
20
Tpd_hgd2
Tpd_hgd1
40
30
20
Tpd_lgd1
10
0
Vdd=5V
Cl=3nF
10
0
Tpd_lgd2
Vdd=5V
Cl=3nF
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
Ta (°C)
Fig 13. HGD Propagation Delay vs. Temperature
120
90
60
Ta (°C)
Fig 14. LGD Propagation Delay vs. Temperature
20
15
10
30
0
Ta=25C
Vdd=5V
Cl=3nF
5
0
Vdd=5V
250kHz
Cl=3nF
0
500
1000
1500
2000
-40
-15
10
35
60
85
Frequency (kHz)
Fig 15. Supply Current vs. Frequency
8
Ta (°C)
Fig 16. Supply Current vs. Temperature
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IXSA12N60AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA
IXSA15N120B 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSA16N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH 24N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
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